Модуль памяти DDR4 16GB/2666 Transcend JetRam (JM2666HSE-16G)
Артикул: 306673
Объем одного модуля - 16 ГБ / Количество модулей в комплекте - 1 / Частота памяти - 2666 МГц / CAS Latency (CL) - CL19 / Схема таймингов - CL19 / Напряжение питания - 1.2В
Арт. 306673
Отправим
быстро
быстро
Внешний вид товара может отличаться от фотографии
1 224 ₴
1 224 ₴
В наличии
от 408 ₴ / мес
3
3
Цена и наличие актуальна на 22.11.24. Обновляем каждые 30 мин.
Объем одного модуля - 16 ГБ / Количество модулей в комплекте - 1 / Частота памяти - 2666 МГц / CAS Latency (CL) - CL19 / Схема таймингов - CL19 / Напряжение питания - 1.2В
Оплата
Способы оплаты:
- Наличная оплата
- Оплата картой
- Безналичный расчет
Кредитные программы:
- Приват-банк. Оплата частями макс кол-во оплат - 3
- Monobank. Покупка частями макс кол-во оплат - 3
Характеристики Модуль памяти DDR4 16GB/2666 Transcend JetRam (JM2666HSE-16G)
| Тип | |
|---|---|
| Тип оперативной памяти: | DDR4 |
| Назначение | |
| Назначение: | для ноутбуков |
| Основные характеристики | |
| Объем одного модуля: | 16 ГБ |
| Количество модулей в комплекте: | 1 |
| Общий объем памяти: | 16 ГБ |
| Частота памяти: | 2666 МГц |
| Форм-фактор: | SO-DIMM |
| CAS Latency (CL): | CL19 |
| Особенности | |
| Наличие подсветки: | без подсветки |
| Дополнительно | |
| Схема таймингов: | CL19 |
| Напряжение питания: | 1.2В |
| Стандарт памяти: | PC4-21300 |
| Линейка памяти: | Transcend JetRam |
| Физические характеристики | |
| Цвет: | зеленый |
Характеристики и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления.
Описание
Модуль памяти Transcend JetRam производится на базе фирменных микросхем DRAM класса ETT, которые проходят тщательный отбор и тестирование в различных условиях эксплуатации. Этот модуль отличается прекрасной совместимостью и подтвержденной испытаниями надежностью, что делает его идеальным и недорогим решением для обновления ноутбука.
Модуль соответствует рейтингу 2666 МГц, обеспечивая скорость передачи данных до 21 ГБ/с. Модули Transcend JetRam DDR4 SO-DIMM работают при напряжении 1.2 В, что позволяет не только уменьшить уровень нагрева, но также снизить электрическую нагрузку на контроллере памяти, а следовательно, и до 40% сократить расход электроэнергии, по сравнению со стандартными 1.5 В модулями DDR3.
Отзывы покупателей о товаре