Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73EB0-CK0)
Артикул: 133983
Тип оперативной памяти - DDR3 / Объем одного модуля - 8 ГБ / Количество модулей в комплекте - 1 / Частота памяти - 1600 МГц / Схема таймингов - CL11
Арт. 133983
Новинка
Отправим
быстро
быстро
Внешний вид товара может отличаться от фотографии
501 ₴
Бесплатная доставка
Отправим {{np_delivery_period.text}}
7
4
501 ₴
В наличии
от 71 ₴ / мес
7
4
Цена и наличие актуальна на 21.05.25. Обновляем каждые 30 мин.
Тип оперативной памяти - DDR3 / Объем одного модуля - 8 ГБ / Количество модулей в комплекте - 1 / Частота памяти - 1600 МГц / Схема таймингов - CL11
Оплата
Способы оплаты:
- Наличная оплата
- Оплата картой
- Безналичный расчет
Кредитные программы:
- Приват-банк. Оплата частями макс кол-во оплат - 7
- Monobank. Покупка частями макс кол-во оплат - 4
Характеристики Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73EB0-CK0)
| Тип | |
|---|---|
| Тип оперативной памяти: | DDR3 |
| Основные характеристики | |
| Объем одного модуля: | 8 ГБ |
| Количество модулей в комплекте: | 1 |
| Частота памяти: | 1600 МГц |
| Дополнительно | |
| Схема таймингов: | CL11 |
| Напряжение питания: | 1.5В |
| Стандарт памяти: | PC3-12800 |
Характеристики и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления.
Описание про Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73EB0-CK0)
Оперативная память Samsung (M378B1G73DB0-CK0) – это надежная DDR3-память, которая отличается компактностью и высоким уровнем экономии. Весь резерв памяти в 8 ГБ находится на одном надежном модуле, имеющем 240 независимых от исправности друг друга контактов. Устройство функционирует с кадровой частотой в 1600 МГц и пропускной способностью в 12800 Мбит/сек. Такие параметры позволяют играть в современные версии видеоигр, обрабатывать фото- и видеофайлы разного разрешения, составлять архивы или базы. Все тайминги модуля Samsung orig. работают с частотностью в 11 тактов. Такой показатель гарантирует незамедлительную реакцию персонального устройства и высокую скорость всех процессов. На модуле установлено 16 чипов в двухсторонней упаковке. Это небуферизованное устройство высокого профиля. Оно имеет форм-фактор формата DIMM для быстрой ликвидации обнаруженных ошибок. Для нормального функционирования модели необходимо соблюдать требование по 1.5 В напряжения.
Отзывы покупателей о Модуль памяти DDR3 8GB/1600 Samsung (M378B1G73EB0-CK0)