Вход Регистрация
Каталог товаров
Язык:
Город:

Все звонки по Украине бесплатны

Пн-Пт: 9:00 - 21:00
Сб-Вс: 10:00 - 18:00

Модуль памяти DDR3 8GB/1600 1,35V GOODRAM (GR1600D3V64L11/8G)

Артикул:  60319
Объем одного модуля - 8 ГБ / Количество модулей в комплекте - 1 / Частота памяти - 1600 МГц / CAS Latency (CL) - CL11 / Схема таймингов - 11-11-11 / Напряжение питания - 1.35В
Арт.  60319
Фото - Модуль памяти DDR3 8GB/1600 1,35V GOODRAM (GR1600D3V64L11/8G) | click.ua
Фото - Модуль памяти DDR3 8GB/1600 1,35V GOODRAM (GR1600D3V64L11/8G) | click.ua
-16%
Отправим
быстро
Модуль памяти DDR3 8GB/1600 1,35V GOODRAM (GR1600D3V64L11/8G)
Модуль памяти DDR3 8GB/1600 1,35V GOODRAM (GR1600D3V64L11/8G)
Внешний вид товара может отличаться от фотографии
747 ₴ 630 ₴
В корзине
747 ₴ 630 ₴
В наличии
В корзине
от 157 ₴ / мес
3
4
Цена и наличие актуальна на 18.04.24. Обновляем каждые 30 мин.
Объем одного модуля - 8 ГБ / Количество модулей в комплекте - 1 / Частота памяти - 1600 МГц / CAS Latency (CL) - CL11 / Схема таймингов - 11-11-11 / Напряжение питания - 1.35В
Гарантия: 36 мес
Обмен и возврат: 14 дней
Оплата
Способы оплаты:
  • Наличная оплата
  • Оплата картой
  • Безналичный расчет
Кредитные программы:
  • Monobank. Покупка частями макс кол-во оплат - 4
  • Приват-банк. Оплата частями макс кол-во оплат - 3
Гарантия: 36 мес
Обмен и возврат: 14 дней
Характеристики Модуль памяти DDR3 8GB/1600 1,35V GOODRAM (GR1600D3V64L11/8G)
Тип
Тип оперативной памяти: DDR3L
Назначение
Назначение: для ПК
Основные характеристики
Объем одного модуля: 8 ГБ
Количество модулей в комплекте: 1
Общий объем памяти: 8 ГБ
Частота памяти: 1600 МГц
Форм-фактор: DIMM
CAS Latency (CL): CL11
Особенности
Наличие подсветки: без подсветки
Дополнительно
Схема таймингов: 11-11-11
Напряжение питания: 1.35В
Стандарт памяти: PC3-12800
Характеристики и комплектация товара могут изменяться производителем без уведомления.
Описание
Модули памяти типа DDR3 широко используются в компьютерах ПК, где требуется очень большая скорость передачи данных, большая емкость и низкое энергопотребление (в случае модулей low voltage — 1,35 В). Благодаря топологии «fly-by» и терминации адресной шины на модуле памяти возможно тактование DDR3 с частотой выше 1200 МГц (передача данных с частотой свыше 2400 МГц). Низкое энергопотребление делает возможным применение модулей DDR3 для мобильных приложений.

Качество модулей памяти GOODRAM

В целях обеспечения высочайшего качества модулей памяти марки GOODRAM, мы работаем только с самыми лучшими поставщиками компонентов, а в производстве модулей памяти используем отборные чипы памяти мировых брендов.

Заводские испытания

Благодаря многоступенчатому контролю качества и тщательному тестированию каждой произведенной памяти марки GOODRAM мы уверены, что в руках наших клиентов попадает продукция самого высокого уровня надежности и качества исполнения.

Отзывы покупателей о товаре

Оценить
{{vError.rating}}
Защитный код